JSMSEMI PDTC123JT,215-JSM
Артикул: C53114078
Part Number: PDTC123JT,215-JSM
Производитель: JSMSEMI
от 0.016100 ₽
В наличии: 3000 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 20 шт. | 0.031700 ₽ |
| 200 шт. | 0.025000 ₽ |
| 600 шт. | 0.021300 ₽ |
| 3000 шт. | 0.019100 ₽ |
| 9000 шт. | 0.017200 ₽ |
| 21000 шт. | 0.016100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Тип | NPN |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 80 |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | - |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | - |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 28.6kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | - |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 250mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
50V 80 100mA 200mW 1 NPN (со встроенными резисторами смещения) NPN SOT-23 одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения RoHS