JSMSEMI PDTD113ZT,215-JSM
Артикул: C53114063
Part Number: PDTD113ZT,215-JSM
Производитель: JSMSEMI
от 0.046400 ₽
В наличии: 1585 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.086300 ₽ |
| 50 шт. | 0.069100 ₽ |
| 150 шт. | 0.060600 ₽ |
| 500 шт. | 0.054100 ₽ |
| 3000 шт. | 0.049000 ₽ |
| 6000 шт. | 0.046400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Тип | NPN |
| Ток коллектора (Ic) | 500mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 82 |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.5V@20mA,0.3V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | - |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 1.3kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1.2 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 300mV@50mA,2.5mA |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 200MHz |
| Ток отсечки коллектора | 500nA |
Описание
50V 82 500mA 200mW 1 NPN (со встроенными резисторами смещения) NPN SOT-23 одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения RoHS