JSMSEMI PUMH10,115-JSM
Артикул: C53114021
Part Number: PUMH10,115-JSM
Производитель: JSMSEMI
от 0.037400 ₽
В наличии: 10910 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 10 шт. | 0.070900 ₽ |
| 100 шт. | 0.056500 ₽ |
| 300 шт. | 0.049300 ₽ |
| 3000 шт. | 0.043900 ₽ |
| 6000 шт. | 0.039600 ₽ |
| 9000 шт. | 0.037400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 2 NPN (Pre-Biased) |
| Тип | NPN |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | - |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 80 |
| Рабочая температура | - |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.1V@5mA,0.3V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV@5mA,0.25mA |
| Входной резистор | 2.86kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 26 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
50V 80 100mA 2 NPN (со встроенными резисторами смещения) NPN SOT-363 одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения RoHS