JSMSEMI PUMD3,115-JSM
Артикул: C53113980
Part Number: PUMD3,115-JSM
Производитель: JSMSEMI
от 0.091100 ₽
В наличии: 3870 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.173900 ₽ |
| 50 шт. | 0.138600 ₽ |
| 150 шт. | 0.123500 ₽ |
| 500 шт. | 0.104600 ₽ |
| 3000 шт. | 0.096200 ₽ |
| 6000 шт. | 0.091100 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN+PNP |
| Количество | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Pre-Biased |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 385mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 60 |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | - |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | - |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 13kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1.2 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
50V 60 100mA 385mW NPN+PNP 1 NPN со встроенными резисторами смещения, 1 PNP со встроенными резисторами смещения SOT-363 одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения RoHS