P-канальный обогащение режим мощность MOSFET
Артикул: C5310949
Part Number: CJ3401S3
Производитель: TECH PUBLIC
от 0.017700 ₽
В наличии: 1100 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 10 шт. | 0.036800 ₽ |
| 100 шт. | 0.029200 ₽ |
| 300 шт. | 0.025400 ₽ |
| 3000 шт. | 0.021100 ₽ |
| 6000 шт. | 0.018800 ₽ |
| 9000 шт. | 0.017700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 4.2A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1.2W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 48mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 8.5nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 880pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 65pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 105pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±12V |
Описание
1.2W 30V 4.2A 1V 48mΩ@10V 1 P-канальный P-канальный SOT-23-3 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)