Infineon IKD15N60RC2ATMA1
Артикул: C5310869
Part Number: IKD15N60RC2ATMA1
Производитель: Infineon
от 0.923600 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.628400 ₽ |
| 10 шт. | 1.354700 ₽ |
| 30 шт. | 1.203400 ₽ |
| 100 шт. | 1.033600 ₽ |
| 500 шт. | 0.957200 ₽ |
| 1000 шт. | 0.923600 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 115.4W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 600V |
| Ток коллектора (Ic) | 28A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2V |
| Заряд затвора (Qg) | 72nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5V |
| Входная ёмкость (Cies) | 575pF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 28pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 21pF |
| Время задержки включения Td(on) | 18ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 374ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 570uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 350uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 129ns |
Описание
115.4W 28A 600V TO-252-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS