N-канальный переход кремний FET
Артикул: C5310366
Part Number: 2SK3666G-3-AE3-R
Производитель: UTC
от 0.053000 ₽
В наличии: 1455 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.103000 ₽ |
| 50 шт. | 0.082400 ₽ |
| 150 шт. | 0.072100 ₽ |
| 500 шт. | 0.064400 ₽ |
| 3000 шт. | 0.056100 ₽ |
| 6000 шт. | 0.053000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение отсечки затвор–исток (VGS(off)) | 950mV |
| Напряжение пробоя затвор–исток (Vgss) | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 270Ω |
| Рабочая температура | - |
| Ток стока (Idss) | 6mA |
| Входная ёмкость Ciss | 4pF |
| Проходная ёмкость (Crss) | - |
| Выходная ёмкость (Coss) | - |
| Конфигурация | - |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
Описание
6mA 1 N-канальный 200mW 270Ω SOT-23 полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом (JFET) RoHS