GOFORD GT1K2N10H
Артикул: C53100849
Part Number: GT1K2N10H
Производитель: GOFORD
от 0.072100 ₽
В наличии: 10 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.148600 ₽ |
| 50 шт. | 0.122700 ₽ |
| 150 шт. | 0.109700 ₽ |
| 500 шт. | 0.100000 ₽ |
| 2500 шт. | 0.076000 ₽ |
| 5000 шт. | 0.072100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 4.5A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 2W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.6V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 89mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 4.2nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 145pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 3pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 40pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
2W 100V 4.5A 1.6V 89mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный SOT-223 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)