TECH PUBLIC MUN5311DW1T1G(TP)

TECH PUBLIC MUN5311DW1T1G(TP)

Артикул: C53100471 Part Number: MUN5311DW1T1G(TP) Производитель: TECH PUBLIC
от 0.020000 ₽ В наличии: 2780 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
10 шт. 0.039800 ₽
100 шт. 0.031300 ₽
300 шт. 0.027000 ₽
3000 шт. 0.023900 ₽
6000 шт. 0.021300 ₽
9000 шт. 0.020000 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Pre-Biased
Тип NPN+PNP
Ток коллектора (Ic) 50mA
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 50V
Рассеиваемая мощность (Pd) 150mW
Коэффициент усиления по постоянному току 30
Рабочая температура -55℃~+150℃
Напряжение эмиттер–база VEBO -
Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) 3V@10mA,300mV
Максимальное входное напряжение (VI(off)) 500mV@100uA,5V
Выходное напряжение (VO(on)) 300mV@10mA,500uA
Входной резистор 13kΩ
Соотношение сопротивлений резисторов 1.2
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) -
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 250MHz
Ток отсечки коллектора -

Описание

50V 30 50mA 150mW 1 NPN со встроенными резисторами смещения, 1 PNP со встроенными резисторами смещения NPN+PNP SOT-363 одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения