Один-канал функциональный и усиленный изолированный затвор-drive микросхемы для высоковольтный обогащение-режим GaN HEMTs
Артикул: C530947
Part Number: 1EDF5673F
Производитель: Infineon
от 1.698700 ₽
В наличии: 57 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.804800 ₽ |
| 10 шт. | 1.759100 ₽ |
| 30 шт. | 1.729700 ₽ |
| 100 шт. | 1.698700 ₽ |
Характеристики
| Тип нагрузки | MOSFET |
| Конфигурация управления | Half-Bridge |
| Время задержки высокого уровня | 41ns |
| Время задержки низкого уровня | 37ns |
| Время спада | 4.5ns |
| Время нарастания | 6.5ns |
| Выходной ток высокого уровня (IOH) | 4A |
| Напряжение питания | 6.5V~20V |
| Выходной ток низкого уровня (IOL) | 8A |
| Особенности | Enable shutdown |
| Ток покоя | 1.5mA |
| Входной логический уровень — низкий | - |
| Входной логический уровень — высокий | - |
Описание
4A 6.5V~20V 8A DSO-16 драйверы затворов RoHS