TDSEMIC MMBT5551 G1-TD(0.42)

TDSEMIC MMBT5551 G1-TD(0.42)

Артикул: C53064190 Part Number: MMBT5551 G1-TD(0.42) Производитель: TDSEMIC
от 0.006700 ₽ В наличии: 3100 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
50 шт. 0.013100 ₽
500 шт. 0.010400 ₽
3000 шт. 0.008900 ₽
6000 шт. 0.007900 ₽
24000 шт. 0.007100 ₽
51000 шт. 0.006700 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип NPN
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 160V
Рассеиваемая мощность (Pd) 625mW
Ток коллектора (Ic) 600mA
Рабочая температура -55℃~+150℃
Коэффициент усиления по постоянному току 80
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 300mV
Ток отсечки коллектора 100nA
Напряжение эмиттер–база VEBO 6V
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 100MHz

Описание

160V 80 600mA NPN SOT-23 одиночные биполярные транзисторы