VBsemi Elec SQD45P03-12-GE3-VB
Артикул: C53063683
Part Number: SQD45P03-12-GE3-VB
Производитель: VBsemi Elec
от 0.341800 ₽
В наличии: 5 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.624900 ₽ |
| 10 шт. | 0.504500 ₽ |
| 30 шт. | 0.452400 ₽ |
| 100 шт. | 0.387300 ₽ |
| 500 шт. | 0.359700 ₽ |
| 1000 шт. | 0.341800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 60A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 11mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 160nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 3.3nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 715pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 1.565nF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
30V 60A 3V 11mΩ@10V 1 P-канальный P-канальный TO-252 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)