R+O HB04N060S
Артикул: C53055310
Part Number: HB04N060S
Производитель: R+O
от 0.127400 ₽
В наличии: 4935 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.248400 ₽ |
| 50 шт. | 0.196800 ₽ |
| 150 шт. | 0.174600 ₽ |
| 500 шт. | 0.147000 ₽ |
| 2500 шт. | 0.134700 ₽ |
| 5000 шт. | 0.127400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 40V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 85A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 80W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.6V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 4.1mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 72nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 3.787nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 257pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 285pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
80W 40V 85A 1.6V 4.1mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-252 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)