Ограничение поля траншейный биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Ограничение поля траншейный биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Артикул: C5300001 Part Number: KGF60N65KDF-U/H Производитель: KEC
от 1.573300 ₽ В наличии: 60 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 2.435300 ₽
10 шт. 2.114100 ₽
30 шт. 1.912500 ₽
90 шт. 1.706000 ₽
450 шт. 1.612600 ₽
900 шт. 1.573300 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип IGBT FS (Field Stop)
Рассеиваемая мощность (Pd) 340W
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) 650V
Ток коллектора (Ic) 120A
Ток отсечки коллектора (Ices) -
Рабочая температура -
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 2.2V@60A,15V
Заряд затвора (Qg) 105nC@15V
Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) 4.3V@1mA
Входная ёмкость (Cies) 2.981nF
Выходная ёмкость (Coes) 158pF
Проходная ёмкость (Cres) 34pF
Время задержки включения Td(on) 56ns
Время задержки выключения Td(off) 216ns
Энергия потерь при включении (Eon) 3.2mJ
Энергия потерь при выключении (Eoff) 1.7mJ
Время обратного восстановления (trr) 116ns

Описание

340W 120A 650V FS (ограничение поля) TO-247 одиночные IGBT-транзисторы RoHS