Ограничение поля траншейный биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Ограничение поля траншейный биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Артикул: C5300000 Part Number: KGF75N65KDF-U/H Производитель: KEC
от 1.170200 ₽ В наличии: 739 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 2.028900 ₽
10 шт. 1.730600 ₽
30 шт. 1.484800 ₽
90 шт. 1.293100 ₽
450 шт. 1.207900 ₽
900 шт. 1.170200 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип IGBT FS (Field Stop)
Рассеиваемая мощность (Pd) 484W
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) 650V
Ток коллектора (Ic) 100A
Ток отсечки коллектора (Ices) 250uA
Рабочая температура -
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 2.2V@75A,15V
Заряд затвора (Qg) 128nC@15V
Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) 4.2V@1mA
Входная ёмкость (Cies) 3.555nF
Выходная ёмкость (Coes) 198pF
Проходная ёмкость (Cres) 41pF
Время задержки включения Td(on) 63ns
Время задержки выключения Td(off) 177ns
Энергия потерь при включении (Eon) 3.6mJ
Энергия потерь при выключении (Eoff) 2.1mJ
Время обратного восстановления (trr) 122ns

Описание

484W 100A 650V FS (ограничение поля) TO-247 одиночные IGBT-транзисторы RoHS