Эпитаксиальный планарный NPN транзистор для импульсный и интерфейс/драйвер цепь применения
Артикул: C5299998
Part Number: KRC402E-RTK/P
Производитель: KEC
от 0.037500 ₽
В наличии: 2820 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 20 шт. | 0.054500 ₽ |
| 200 шт. | 0.047600 ₽ |
| 600 шт. | 0.043700 ₽ |
| 3000 шт. | 0.040600 ₽ |
| 9000 шт. | 0.038600 ₽ |
| 18000 шт. | 0.037500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Тип | NPN |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 100mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 80 |
| Рабочая температура | - |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 2.4V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 1V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 2.4V@10mA,0.5mA |
| Входной резистор | 10kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 26 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 200MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 100mW поверхностный монтаж ESM