650V, 10A Alpha IGBT с быстрый восстановление анти-параллельный диод
Артикул: C5299864
Part Number: AOB10B65M1
Производитель: AOS
от 0.574000 ₽
В наличии: 471 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.783900 ₽ |
| 10 шт. | 0.701900 ₽ |
| 30 шт. | 0.657600 ₽ |
| 100 шт. | 0.606800 ₽ |
| 500 шт. | 0.583800 ₽ |
| 800 шт. | 0.574000 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 150W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 20A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2V@10A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 24nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4.5V@1mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 655pF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 68pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 25pF |
| Время задержки включения Td(on) | 12ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 91ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 180uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 130uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 263ns |
Описание
150W 20A 650V TO-263 одиночные IGBT-транзисторы RoHS