BORN BME10N65
Артикул: C52993700
Part Number: BME10N65
Производитель: BORN
от 0.195200 ₽
В наличии: 345 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.379800 ₽ |
| 50 шт. | 0.301100 ₽ |
| 150 шт. | 0.267300 ₽ |
| 500 шт. | 0.225200 ₽ |
| 2000 шт. | 0.206500 ₽ |
| 5000 шт. | 0.195200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 10A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 150W |
| Рабочая температура | - |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 790mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 32nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.72nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 11pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 140pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±30V |
Описание
150W 650V 10A 2V 790mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-220AB одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)