VBsemi Elec SI7892BDP-T1-GE3-VB
Артикул: C52989083
Part Number: SI7892BDP-T1-GE3-VB
Производитель: VBsemi Elec
от 0.515900 ₽
В наличии: 5 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.896600 ₽ |
| 10 шт. | 0.740400 ₽ |
| 30 шт. | 0.662300 ₽ |
| 100 шт. | 0.585800 ₽ |
| 500 шт. | 0.540300 ₽ |
| 1000 шт. | 0.515900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 120A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 210W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 3mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 71nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 3.2nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 970pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 1.025nF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
30V 120A 2.5V 210W 3mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный DFN-8(5x6) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)