JSMSEMI IPB083N10N3GATMA1-JSM
Артикул: C52948789
Part Number: IPB083N10N3GATMA1-JSM
Производитель: JSMSEMI
от 0.529600 ₽
В наличии: 200 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.961300 ₽ |
| 10 шт. | 0.785400 ₽ |
| 30 шт. | 0.697400 ₽ |
| 100 шт. | 0.609400 ₽ |
| 500 шт. | 0.557300 ₽ |
| 800 шт. | 0.529600 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 85A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 256W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 7mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 69nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 4.646nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 30pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 580pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
100V 85A 3V 256W 7mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-263 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS