R+O HD303N110DG
Артикул: C52766430
Part Number: HD303N110DG
Производитель: R+O
от 0.274900 ₽
В наличии: 5165 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.430400 ₽ |
| 50 шт. | 0.364000 ₽ |
| 150 шт. | 0.335600 ₽ |
| 500 шт. | 0.300200 ₽ |
| 2500 шт. | 0.284400 ₽ |
| 5000 шт. | 0.274900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 2 N-Channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 18A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 18W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.7V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 8.5mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 15nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 658pF@15V |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 36pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 284pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
30V 18A 1.7V 18W 8.5mΩ@10V 2 N-канальный N-канальный PDFN-8(3x3) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)