R+O HB10N085SG
Артикул: C52766429
Part Number: HB10N085SG
Производитель: R+O
от 0.318000 ₽
В наличии: 12857 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.565400 ₽ |
| 10 шт. | 0.460600 ₽ |
| 30 шт. | 0.414700 ₽ |
| 100 шт. | 0.358900 ₽ |
| 500 шт. | 0.334400 ₽ |
| 1000 шт. | 0.318000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 80A |
| Конфигурация | Standalone |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 100W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.7V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 6.7mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 36nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.031nF@50V |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 15pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 365pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
100W 100V 80A 1.7V 6.7mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-252 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)