R+O HE10N082SG
Артикул: C52766428
Part Number: HE10N082SG
Производитель: R+O
от 0.349500 ₽
В наличии: 2956 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.472500 ₽ |
| 10 шт. | 0.421600 ₽ |
| 50 шт. | 0.397000 ₽ |
| 100 шт. | 0.372400 ₽ |
| 500 шт. | 0.356000 ₽ |
| 1000 шт. | 0.349500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 110A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 125W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.7V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 6.5mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 40nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.312nF@50V |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 25.6pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 729pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
125W 100V 110A 1.7V 6.5mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-220CB одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)