R+O HD508N052SG
Артикул: C52766427
Part Number: HD508N052SG
Производитель: R+O
от 0.350800 ₽
В наличии: 1574 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.463800 ₽ |
| 10 шт. | 0.416300 ₽ |
| 30 шт. | 0.395000 ₽ |
| 100 шт. | 0.368800 ₽ |
| 500 шт. | 0.357300 ₽ |
| 1000 шт. | 0.350800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 80V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 110A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 120W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 4.2mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 42nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 3.818nF@40V |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 21pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 515pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
120W 80V 110A 3V 4.2mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный PDFN-8(5x6) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)