R+O HB06N047SG
Артикул: C52766426
Part Number: HB06N047SG
Производитель: R+O
от 0.329500 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.613000 ₽ |
| 10 шт. | 0.496600 ₽ |
| 30 шт. | 0.439300 ₽ |
| 100 шт. | 0.381900 ₽ |
| 500 шт. | 0.347500 ₽ |
| 1000 шт. | 0.329500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 60V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 110A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 110W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.7V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 3.7mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 50nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 5.045nF@30V |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 47pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 1.057nF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
110W 60V 110A 1.7V 3.7mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-252 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)