HXY MOSFET STP26N65DM2-HXY
Артикул: C52754709
Part Number: STP26N65DM2-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 1.578200 ₽
В наличии: 206 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.636900 ₽ |
| 10 шт. | 2.241900 ₽ |
| 50 шт. | 1.994500 ₽ |
| 100 шт. | 1.742100 ₽ |
| 500 шт. | 1.627400 ₽ |
| 1000 шт. | 1.578200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 800V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 20A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 83W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 165mΩ@18V |
| Заряд затвора (Qg) | 17.6nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 361pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 3.5pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 34pF |
Описание
800V 20A 3V 83W 165mΩ@18V 1 N-канальный N-канальный TO-220C одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)