Эпитаксиальный планарный NPN транзистор
Артикул: C5274816
Part Number: KRC102-AT/P
Производитель: KEC
от 0.054400 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 10 шт. | 0.089000 ₽ |
| 100 шт. | 0.076200 ₽ |
| 300 шт. | 0.069700 ₽ |
| 2000 шт. | 0.060200 ₽ |
| 4000 шт. | 0.056300 ₽ |
| 10000 шт. | 0.054400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Тип | NPN |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 625mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 80 |
| Рабочая температура | - |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 2.4V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 1.2V@0.1mA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV |
| Входной резистор | 10kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 200MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 625mW монтаж в отверстия TO-92-2.5mm