VBsemi Elec VBGQF1101N
Артикул: C52711475
Part Number: VBGQF1101N
Производитель: VBsemi Elec
от 0.454000 ₽
В наличии: 5 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.835800 ₽ |
| 10 шт. | 0.680200 ₽ |
| 30 шт. | 0.601500 ₽ |
| 100 шт. | 0.524500 ₽ |
| 500 шт. | 0.476900 ₽ |
| 1000 шт. | 0.454000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 50A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 136W |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 11mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 70nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 5nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 225pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 470pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
136W 100V 50A 2V 11mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный DFN-8(3x3) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)