Кремний карбид мощность MOSFET 650 V, 119 A, 18 mΩ in an HiP247 корпус
Артикул: C5268814
Part Number: SCTW90N65G2V
Производитель: ST
от 42.637200 ₽
В наличии: 1 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 44.707600 ₽ |
| 30 шт. | 42.637200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 119A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 565W |
| Рабочая температура | -55℃~+200℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 24mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 157nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 3.38nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 49pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 294pF |
Описание
650V 119A 5V 565W 24mΩ 1 N-канальный N-канальный HiP-247 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS