Автомобильного класса кремний карбид мощность MOSFET 650 V, 58 mQ типовое значение., 30 A in an HU3PAK корпус
Артикул: C5268810
Part Number: SCT055HU65G3AG
Производитель: ST
от 12.334800 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 15.292900 ₽ |
| 10 шт. | 14.596700 ₽ |
| 30 шт. | 13.388900 ₽ |
| 100 шт. | 12.334800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 30A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 185W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4.2V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 72mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 29nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 721pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 11pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 73pF |
Описание
650V 30A 4.2V 185W 72mΩ 1 N-канальный N-канальный HU3PAK одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)