ST STGYA50M120DF3
Артикул: C5268603
Part Number: STGYA50M120DF3
Производитель: ST
от 13.450300 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 13.960400 ₽ |
| 10 шт. | 13.741100 ₽ |
| 30 шт. | 13.594900 ₽ |
| 90 шт. | 13.450300 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 535W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 100A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.7V |
| Заряд затвора (Qg) | 194nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 6V |
| Входная ёмкость (Cies) | 3.152nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 310pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 123pF |
| Время задержки включения Td(on) | 38ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 258ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 2mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 3.2mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 325ns |
Описание
535W 100A 1.2kV FS (ограничение поля) TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS