Траншейный затвор field-останов IGBT, M серия 1200 V, 8 A низкий-потери
Артикул: C5268600
Part Number: STGWA8M120DF3
Производитель: ST
от 2.945800 ₽
В наличии: 3 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 3.131800 ₽ |
| 10 шт. | 3.051800 ₽ |
| 30 шт. | 2.998100 ₽ |
| 90 шт. | 2.945800 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 167W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 16A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.3V@8A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 32nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5V@500uA |
| Входная ёмкость (Cies) | 542pF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 74.4pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 21pF |
| Время задержки включения Td(on) | 20ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 126ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 390uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 370uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 103ns |
Описание
167W 16A 1.2kV FS (ограничение поля) TO-247 одиночные IGBT-транзисторы RoHS