Траншейный затвор field-останов IGBT, M серия 650 V, 4 A низкий потери
Артикул: C5268588
Part Number: STGP4M65DF2
Производитель: ST
от 1.147300 ₽
В наличии: 49 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.020200 ₽ |
| 10 шт. | 1.694100 ₽ |
| 50 шт. | 1.491300 ₽ |
| 100 шт. | 1.281900 ₽ |
| 500 шт. | 1.187800 ₽ |
| 1000 шт. | 1.147300 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 68W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 8A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.1V@4A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 15.2nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5V@250uA |
| Входная ёмкость (Cies) | 369pF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 24.8pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 8pF |
| Время задержки включения Td(on) | 12ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 86ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 40uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 136uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 133ns |
Описание
68W 8A 650V FS (ограничение поля) TO-220 одиночные IGBT-транзисторы RoHS