Траншейный затвор field-останов IGBT, HB серия, 650 V, 80 A высокоскоростной
Артикул: C5268579
Part Number: STGWA80H65DFB
Производитель: ST
от 3.278800 ₽
В наличии: 108 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 4.596900 ₽ |
| 10 шт. | 4.106700 ₽ |
| 30 шт. | 3.798500 ₽ |
| 90 шт. | 3.483800 ₽ |
| 510 шт. | 3.341100 ₽ |
| 990 шт. | 3.278800 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 469W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 120A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2V@80A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 414nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5V@1mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 10.524nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 385pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 215pF |
| Время задержки включения Td(on) | 84ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 280ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 2.1mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 1.5mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 85ns |
Описание
469W 120A 650V TO-247 одиночные IGBT-транзисторы