120V NPN средний мощность дарлингтона транзистор в корпусе TO252

120V NPN средний мощность дарлингтона транзистор в корпусе TO252

Артикул: C526798 Part Number: ZXTN04120HKTC Производитель: DIODES
от 0.567200 ₽ В наличии: 3 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 0.596400 ₽
10 шт. 0.584100 ₽
30 шт. 0.574900 ₽
100 шт. 0.567200 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип NPN
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 120V
Рассеиваемая мощность (Pd) 1.5W
Ток коллектора (Ic) 1.5A
Рабочая температура -55℃~+150℃@(Tj)
Коэффициент усиления по постоянному току 2000
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1.5V
Ток отсечки коллектора 100nA
Напряжение эмиттер–база VEBO 14V
Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) 1.8V
Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) 1.7V
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 150MHz

Описание

120V 2000 1.5A NPN TO-252(DPAK) одиночные биполярные транзисторы RoHS