NPN дарлингтона транзистор IN SOT23

NPN дарлингтона транзистор IN SOT23

Артикул: C526681 Part Number: MMBTA14-7-F Производитель: DIODES
от 0.106800 ₽ В наличии: 315 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
5 шт. 0.164100 ₽
50 шт. 0.139500 ₽
150 шт. 0.127200 ₽
500 шт. 0.117900 ₽
3000 шт. 0.110500 ₽
6000 шт. 0.106800 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип NPN
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 30V
Рассеиваемая мощность (Pd) 300mW
Ток коллектора (Ic) 300mA
Рабочая температура -55℃~+150℃@(Tj)
Коэффициент усиления по постоянному току 20000
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1.5V
Ток отсечки коллектора 100nA
Напряжение эмиттер–база VEBO 10V
Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) 2V
Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) -
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 125MHz

Описание

30V 20000 300mA NPN SOT-23 одиночные биполярные транзисторы RoHS