Транзистор предварительное смещение 40V SOT-23
Артикул: C526550
Part Number: DDTD123EC-7-F
Производитель: DIODES
от 0.034900 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 10 шт. | 0.036200 ₽ |
| 100 шт. | 0.035700 ₽ |
| 300 шт. | 0.035300 ₽ |
| 1000 шт. | 0.034900 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Количество | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Ток коллектора (Ic) | 500mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 40V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 56 |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 5V |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 2V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV |
| Входной резистор | - |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 200MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 40V 500mA 200mW поверхностный монтаж SOT-23