Транзистор предварительное смещение 50V DFN-3(1x0.6)

Транзистор предварительное смещение 50V DFN-3(1x0.6)

Артикул: C526544 Part Number: DDTC143ZLP-7 Производитель: DIODES
от 0.060900 ₽ В наличии: 140 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
5 шт. 0.113700 ₽
50 шт. 0.091000 ₽
150 шт. 0.079600 ₽
500 шт. 0.071100 ₽
3000 шт. 0.064300 ₽
6000 шт. 0.060900 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип NPN
Количество 1 NPN (Pre-Biased)
Ток коллектора (Ic) 100mA
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 50V
Рассеиваемая мощность (Pd) 250mW
Коэффициент усиления по постоянному току 125
Рабочая температура -55℃~+150℃
Напряжение эмиттер–база VEBO 4.5V
Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) 1.1V@5mA,0.3V
Максимальное входное напряжение (VI(off)) 500mV
Выходное напряжение (VO(on)) 300mV
Входной резистор -
Соотношение сопротивлений резисторов -
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 200mV
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 250MHz
Ток отсечки коллектора 0.5uA

Описание

Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 50V 100mA 250mW поверхностный монтаж DFN-3(1x0.6)