DIODES DDTA114YUA-7-F
Артикул: C526525
Part Number: DDTA114YUA-7-F
Производитель: DIODES
от 0.035100 ₽
В наличии: 3000 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 20 шт. | 0.036100 ₽ |
| 200 шт. | 0.035600 ₽ |
| 600 шт. | 0.035400 ₽ |
| 3000 шт. | 0.035100 ₽ |
Характеристики
| Тип | PNP |
| Количество | 1 PNP Pre-Biased |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 68 |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.4V@1mA,0.3V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 300mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV@5mA,0.25mA |
| Входной резистор | 10kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 4.7 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 300mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | 0.5uA |
Описание
50V 68 100mA 200mW PNP 1 PNP со встроенными резисторами смещения SOT-323-3 одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения RoHS