Транзистор предварительное смещение PNP 50V SOT-363
Артикул: C526520
Part Number: DDA114YU-7-F
Производитель: DIODES
от 0.048400 ₽
В наличии: 130 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 10 шт. | 0.080200 ₽ |
| 100 шт. | 0.066500 ₽ |
| 300 шт. | 0.059600 ₽ |
| 3000 шт. | 0.054500 ₽ |
| 6000 шт. | 0.050400 ₽ |
| 9000 шт. | 0.048400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 2 PNP Pre-Biased Transistors |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Тип | - |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 68 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.4V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 1.9V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV |
| Входной резистор | 10kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 4.7 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 2 PNP со встроенными резисторами смещения транзисторы 50V 100mA 200mW поверхностный монтаж SOT-363