DIODES BSS8402DW-13-F
Артикул: C526483
Part Number: BSS8402DW-13-F
Производитель: DIODES
от 0.082200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.224100 ₽ |
| 200 шт. | 0.086700 ₽ |
| 500 шт. | 0.083700 ₽ |
| 1000 шт. | 0.082200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | N-Channel + P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 50V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 130mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1V;800mV |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 3.2Ω@5V;10Ω@5V |
| Заряд затвора (Qg) | - |
| Входная ёмкость (Ciss) | 22pF;45pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 2pF;12pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 11pF;25pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
200mW 50V 130mA 1 P-канальный N-канальный + P-канальный SOT-363 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)