P-канальный обогащение режим MOSFET - С защитой от электростатического разряда (ESD)
Артикул: C525635
Part Number: PJA3419
Производитель: PANJIT
от 0.030800 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 10 шт. | 0.064700 ₽ |
| 100 шт. | 0.051200 ₽ |
| 300 шт. | 0.044400 ₽ |
| 3000 шт. | 0.036900 ₽ |
| 6000 шт. | 0.032800 ₽ |
| 9000 шт. | 0.030800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 20V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 4A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1.25W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 770mV |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 50mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 6.9nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 602pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 47pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 70pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±12V |
Описание
1.25W 20V 4A 770mV 50mΩ@10V 1 P-канальный P-канальный SOT-23 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS