Высокая удельная мощность 60V полумостовой драйвер с два обогащение режим GaN HEMT
Артикул: C5252510
Part Number: MASTERGAN4TR
Производитель: ST
от 1.877700 ₽
В наличии: 2991 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 3.015700 ₽ |
| 10 шт. | 2.578200 ₽ |
| 30 шт. | 2.316900 ₽ |
| 100 шт. | 2.054100 ₽ |
| 500 шт. | 1.933200 ₽ |
| 1000 шт. | 1.877700 ₽ |
Характеристики
| Конфигурация управления | Half-Bridge |
| Особенности | Enable shutdown;Dead-time control;Interleaved conduction protection;Built-in bootstrap diode |
| Напряжение питания | 4.75V~9.5V |
| Тип нагрузки | MOSFET |
| Количество драйверов | 2 |
| Выходной ток низкого уровня (IOL) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+125℃ |
| Выходной ток высокого уровня (IOH) | - |
| Время нарастания | - |
| Входной логический уровень — высокий | 2V~2.5V |
| Ток покоя (Iq) | 680uA |
| Время спада | - |
| Входной логический уровень — низкий | 1.1V~1.45V |
| Задержка распространения tpLH | - |
| Задержка распространения tpHL | - |
Описание
2 MOSFET QFN-31(9x9) драйверы полного моста и полумоста (H-моста) RoHS