NPN поверхностный монтаж дарлингтона транзистор

NPN поверхностный монтаж дарлингтона транзистор

Артикул: C5249119 Part Number: MMSTA14-7-F Производитель: DIODES
от 0.051900 ₽ В наличии: 4455 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
5 шт. 0.097000 ₽
50 шт. 0.077600 ₽
150 шт. 0.067900 ₽
500 шт. 0.060700 ₽
3000 шт. 0.054800 ₽
6000 шт. 0.051900 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип NPN
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 30V
Рассеиваемая мощность (Pd) 200mW
Ток коллектора (Ic) 300mA
Рабочая температура -55℃~+150℃@(Tj)
Коэффициент усиления по постоянному току -
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1.5V
Ток отсечки коллектора 100nA
Напряжение эмиттер–база VEBO 10V
Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) 2V
Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) -
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 125MHz

Описание

30V 300mA NPN SOT-323 одиночные биполярные транзисторы RoHS