120V NPN дарлингтона транзистор IN SOT223

120V NPN дарлингтона транзистор IN SOT223

Артикул: C5249013 Part Number: FZT605 Производитель: DIODES
от 0.704700 ₽ В наличии: 19 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 1.114400 ₽
10 шт. 0.947300 ₽
30 шт. 0.863700 ₽
100 шт. 0.780100 ₽
500 шт. 0.731000 ₽
1000 шт. 0.704700 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип NPN
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 120V
Ток коллектора (Ic) 1.5A
Рассеиваемая мощность (Pd) 3W
Рабочая температура -55℃~+150℃
Коэффициент усиления по постоянному току 2000
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1.5V
Ток отсечки коллектора 100nA
Напряжение эмиттер–база VEBO 14V
Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) 1.8V
Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) 1.7V
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 150MHz

Описание

120V 2000 1.5A NPN SOT-223 одиночные биполярные транзисторы