100V PNP дарлингтона транзистор in SOT23

100V PNP дарлингтона транзистор in SOT23

Артикул: C5249005 Part Number: FMMT734 Производитель: DIODES
от 0.619000 ₽ В наличии: 5 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 0.638500 ₽
500 шт. 0.619000 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип PNP
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 116V
Ток коллектора (Ic) 800mA
Рассеиваемая мощность (Pd) 625mW
Рабочая температура -55℃~+150℃
Коэффициент усиления по постоянному току 20000
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 680mV;720mV;780mV;860mV;900mV
Ток отсечки коллектора 10nA
Напряжение эмиттер–база VEBO 12V
Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) 1.6V
Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) 1.3V
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 140MHz

Описание

116V 20000 800mA PNP SOT-23 одиночные биполярные транзисторы RoHS