P-канальный обогащение режим MOSFET
Артикул: C5246432
Part Number: STD15P6F6AG
Производитель: TECH PUBLIC
от 0.201700 ₽
В наличии: 2882 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.365500 ₽ |
| 10 шт. | 0.296500 ₽ |
| 30 шт. | 0.262000 ₽ |
| 100 шт. | 0.236200 ₽ |
| 1000 шт. | 0.205100 ₽ |
| 2500 шт. | 0.201700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 60V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 13A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 60W |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 100mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 37.6nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.6307nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 77.3pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 90.6pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
60W 60V 13A 3V 100mΩ@10V 1 P-канальный P-канальный TO-252 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)