60V P-канальный обогащение режим MOSFET

60V P-канальный обогащение режим MOSFET

Артикул: C5246418 Part Number: IRFL9014 Производитель: TECH PUBLIC
от 0.176700 ₽ В наличии: 1000 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
5 шт. 0.337500 ₽
50 шт. 0.273900 ₽
150 шт. 0.246600 ₽
500 шт. 0.200900 ₽
2500 шт. 0.185700 ₽
5000 шт. 0.176700 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 1 P-Channel
Тип P-Channel
Напряжение сток–исток 60V
Конфигурация -
Непрерывный ток стока (Id) 4.3A
Рассеиваемая мощность (Pd) 2W
Рабочая температура -55℃~+150℃
Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) 3V
Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) 95mΩ@10V;130mΩ@4.5V
Заряд затвора (Qg) 17.7nC@30V
Входная ёмкость (Ciss) 637pF
Проходная ёмкость (Crss при Vds) 53pF
Выходная ёмкость (Coss) 70pF
Напряжение затвор–исток (Vgs) ±20V

Описание

2W 60V 4.3A 3V 1 P-канальный P-канальный SOT-223 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)