DIODES DDTD113ZU-7-F
Артикул: C5245909
Part Number: DDTD113ZU-7-F
Производитель: DIODES
от 0.097700 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.151000 ₽ |
| 50 шт. | 0.128100 ₽ |
| 150 шт. | 0.116600 ₽ |
| 500 шт. | 0.108000 ₽ |
| 3000 шт. | 0.101100 ₽ |
| 6000 шт. | 0.097700 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Количество | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Ток коллектора (Ic) | 500mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 56 |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 5V |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 2V@20mA,0.3V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 300mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV@50mA,2.5mA |
| Входной резистор | 1kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 10 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 300mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 200MHz |
| Ток отсечки коллектора | 0.5uA |
Описание
50V 56 500mA 200mW NPN 1 NPN (со встроенными резисторами смещения) SOT-323 одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения RoHS