Транзистор предварительное смещение 50V DFN-3(1x0.6)
Артикул: C5245858
Part Number: DDTC123JLP-7
Производитель: DIODES
от 0.250800 ₽
В наличии: 5 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.259200 ₽ |
| 50 шт. | 0.255600 ₽ |
| 150 шт. | 0.253200 ₽ |
| 500 шт. | 0.250800 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Количество | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 250mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 180 |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 4.5V |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.1V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV@50mA,2.5mA |
| Входной резистор | 2.2kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 20 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 200mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | 0.5uA |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 50V 100mA 250mW поверхностный монтаж DFN-3(1x0.6)